產(chǎn)品資料
日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置
產(chǎn)品名稱(chēng): 日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置
產(chǎn)品型號(hào): RG-100PV
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置玻璃基板上薄膜的四探針?lè)ò胱詣?dòng)測(cè)量?jī)xXY軸機(jī)構(gòu)臺(tái)平面內(nèi)多點(diǎn)測(cè)量配備了均勻螺距或隨機(jī)螺距設(shè)置選擇以及2-D ??/ 3-D映射軟件。
日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置 的詳細(xì)介紹
日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
- 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線(xiàn)等）
- 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
- 擴(kuò)散樣品硅基薄膜（LTPS等），IGZO
- 硅基外延離子注入樣品
- 與化合物半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
- 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
大300 x 300毫米（選件;大500 x 500毫米）
測(cè)量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至200Ω·cm
[片電阻] 1m至1,000kΩ/ sq（選件；?10MΩ/ sq）
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
- 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
- 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線(xiàn)等）
- 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
- 擴(kuò)散樣品硅基薄膜（LTPS等），IGZO
- 硅基外延離子注入樣品
- 與化合物半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
- 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
大300 x 300毫米（選件;大500 x 500毫米）
測(cè)量范圍
[電阻（比電阻）] 1m至200Ω·cm
[片電阻] 1m至1,000kΩ/ sq（選件；?10MΩ/ sq）
映射圖像
![半自動(dòng)類(lèi)型<br />（多點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）](https://www.napson.co.jp/wp/wp-content/uploads/2014/08/2D%E8%A7%92%E5%9E%8B%E3%83%9E%E3%83%83%E3%83%94%E3%83%B3%E3%82%B02.jpg)
![半自動(dòng)類(lèi)型<br />（多點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）](https://www.napson.co.jp/wp/wp-content/uploads/2014/08/3D%E8%A7%92%E5%9E%8B%E3%83%9E%E3%83%83%E3%83%94%E3%83%B3%E3%82%B02-640x561.jpg)
日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置
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